Samsung, yeni nəsil yüksək bant genişlikli yaddaşı olan HBM4-ü kommersiya məqsədli olaraq müştərilərə göndərməyə başladığını elan edib. Bu, şirkətin 10nm sinifli DRAM prosesi və 4nm loqika bazası üzərində qurulan altıncı nəsil yaddaş texnologiyasıdır.
HBM4 yaddaşı 11.7Gbps sürətinə çatır və bəzi konfiqurasiyalarda 13Gbps-ə qədər yüksəlir. Ümumi yaddaş bant genişliyi isə 3.3TB/s-ə qədər artır. Bu yeni yaddaş nəsli, əvvəlki nəsillə müqayisədə təxminən 2.7 dəfə daha yüksək performans təklif edir.
Samsung, yeni yaddaşın enerji səmərəliliyini təxminən 40% yaxşılaşdırdığını bildirir. Bu, aşağı gərginlikli silisium vasitəsi texnologiyası və istilik yayılması ilə bağlı dəyişikliklər sayəsində mümkün olub.
Samsung-un Yaddaş İnkişafı üzrə vitse-prezidenti Sang Joon Hwang, "Ənənəvi dizaynları istifadə etmək əvəzinə, Samsung ən qabaqcıl 1c DRAM və 4nm loqika prosesi kimi texnologiyaları qəbul etdi" deyə bildirib.
